Вісник Львівського університету. Серія фізична
60 (2023) с. 157-165
DOI: https://doi.org/10.30970/vph.60.2023.157 Електрофізичні властивості підсистеми Cu–Pb високоентропійного сплаву Bi–Cu–Ga–In–Sn–PbВ. Повержук, Ю. Плевачук, Л. Ромака |
Основні проблеми у дослідженнях багатокомпонентних високоентропійних сплавів пов'язані з високими температурами плавлення елементів, що входять до їхнього складу. Тому нерідко вивчають подібні багатокомпонентні сплави, що складаються з елементів з нижчими температурами плавлення, а також їхні підсистеми з меншою кількістю компонентів. Відповідно до концепції багатокомпонентного високоентропійного сплаву, висока ентропія змішування може стабілізувати утворення твердих розчинів під час кристалізації (проста ОЦК або ГЦК кристалічна структура). Стабілізація твердого розчину і запобігання утворенню інтерметалічних фаз під час процесу кристалізації забезпечується високою ентропією змішування в твердому і рідкому станах. Такі сплави мають підвищену міцність, високу твердість, термічну стабільність у поєднанні зі стійкістю до окислення та корозії. Ці властивості дозволяють значно розширити сферу їхнього застосування; зокрема, останнім часом такі сплави почали інтенсивно досліджувати як матеріали для низькотемпературних припоїв. Більшість досліджень фізико-хімічних і механічних характеристик високоентропійних сплавів виконано на зразках у твердому стані. Водночас дані про структуру в рідкому стані та її трансформацію під час охолодження, а також про механізми та послідовності структурно-фазових перетворень під час кристалізації практично відсутні, хоча саме в рідкому стані відбуваються процеси утворення атомарних розчинів, і, отже, саме в цьому початковому випадку зародження структури найлегше вплинути і змінити її формування в потрібному напрямі. У пропонованій праці досліджено мікроструктуру, питомий електричний опір і термоЕРС бінарних сплавів системи Cu–Pb, які є складовою підсистеми низькотемпературного високоентропійного сплаву Bi–Cu–Ga–In–Pb–Sn, у широкому діапазоні температур твердого та рідкого станів.