Журнал фізичних досліджень 23(2), Стаття 2703 [4 стор.] (2019) DOI: https://doi.org/10.30970/jps.23.2703 ЗОННА СТРУКТУРА НЕВПОРЯДКОВАНИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНIВ ЗАМIЩЕННЯ Si1-xSnx П. М. Якiбчук, О. В. Бовгира, М. В. Коваленко, I. В. Куца Львівський національний університет імені Івана Франка, фізичний факультет, вул. Кирила і Мефодія, 8, Львів, 79005, Україна

Методом нелокального модельного псевдопотенцiалу досліджено електронну зонну структуру твердих розчинів заміщення Si$_{1-x}$Sn$_x$. У розрахунках електронної зонної структури вказаних твердих розчинів заміщення враховано вплив внутрішніх локальних деформацій та композиційної невпорядкованості. Установлено, що перехід непрямозонний-прямозонний напівпровідник у сплавах Si$_{1-x}$Sn$_x$ відбувається, якщо $x = 0.6$. Відповідне значення ширини прямої забороненої зони становить $E_g = 0.75$ еВ.

PACS number(s): 71.15.-m, 71.23.-k

pdf

1. S. Wirths, D. Buca, S. Mantl, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 62, 1 (2016);
   CrossRef
2. J. Tolle et al., Appl. Phys. Lett. 89, 231924 (2006);
   CrossRef
3. P. Moontragoon, Z. Ikoni\'c, P. Harrison, Semicond. Sci. Technol. 22, 742 (2007);
   CrossRef
4. Y. Nagae et al., Jpn. J. Appl. Phys. 55, 08PE04 (2016);
   CrossRef
5. M. Oda, Y. Kuroda, A. Kishi, Y. Shinozuka, Phys. Status Solidi 254, 1600519 (2017);
   CrossRef
6. P. M. Yakibchuk, O. V. Bovgyra, I. V. Kutsa, J. Phys. Stud. 19, 1702 (2015).
7. P. M. Yakibchuk, O. V. Bovgyra , L. R. Toporovska , I. V. Kutsa, J. Nano- Electron. Phys. 9, 02030 (2017);\\
   CrossRef
8. O. Rubel, A. Bokhanchuk, S. J. Ahmed, E. Assmann, Phys. Rev. B 90 115202 (2014);
   CrossRef
9. M. L. Cohen, T. K. Bergstresser, Phys. Rev. 141, 789 (1966);
   CrossRef
10. D. R. Masovic, F. R. Vukajlovic, S. Zekovic, J. Phys. C 16, 6731 (1983);
    CrossRef
11. M. Kurosawa et al., Appl. Phys. Lett. 106, 171908 (2015);
    CrossRef