Journal of Physical Studies 24(3), Article 3702 [5 pages] (2020)
DOI: https://doi.org/10.30970/jps.24.3702

MAGNETICALLY STIMULATED CHANGES IN THE ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF THE NEAR-SURFACE SILICON LAYER

B. V. Pavlyk , D. P. Slobodzyan , R. M. Lys , M. O. Kushlyk , R. I. Didyk, J. A. Shykorjak 

Ivan Franko National University of Lviv, Department for Sensor and Semiconductor Electronics,
107, General Tarnavsky St., Lviv, UA-79017, Ukraine,
e-mail: bohdan.pavlyk@lnu.edu.ua

Received 04 May 2020; in final form 21 June 2020; accepted 23 June 2020; published online 15 October 2020

This papers presents the results of the influence of a weak magnetic field (MF) (0.354 T) on the electrophysical properties of surface structures based on p-Si. A 300-hours exposure of single-crystal silicon samples in a magnetic field stimulates the decay of hydrogen-containing and oxygen-containing surface complexes (С-H$_{X}$, Si-O-H, О-Н) and the formation of Si-H$_{3}$ centers. As a result, the surface resistance increases and the barrier properties of the Bi-Si(p) contact deteriorate

Key words: silicon, magnetic field, elastic mechanical deformation, current-voltage characteristic, capacitance-voltage characteristic, IR absorption spectra

Full text

References
  1. R. B. Morgunov, Phys.-Uspekhi 47, 125 (2004);
    Crossref
  2. Yu. I. Golovin, Phys. Solid State 46, 789 (2004);
    Crossref
  3. A. A. Skvortsov, A. M. Orlov, L. I. Gonchar, J. Exp. Theor. Phys. 93, 117 (2001);
    Crossref
  4. M. V. Badylevich, Yu. L. Iunin, V. V. Kveder, V. I. Orlov, Yu. A. Osipyan, J. Exp. Theor. Phys. 97, 601 (2003);
    Crossref
  5. A. M. Orlov, A. A. Skvortsov, A. A. Solov’ev, Phys. Solid State 45, 643 (2003);
    Crossref
  6. A. M. Orlov, A. A. Skvortsov, L. I. Gonchar, Phys. Solid State 43, 1252 (2001);
    Crossref
  7. V. A. Makara, L. P. Steblenko, N. Ya. Gorid’ko, V. M. Kravchenko, A. N. Kolomiets, Phys. Solid State 43, 480 (2001);
    Crossref
  8. V. A. Makara et al., Phys. Chem. Solid State 7, 131 (2006).
  9. V. A. Makara et al., Phys. Chem. Solid State 10, 193 (2009).
  10. B. V. Pavlyk et al., Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 31, 1169 (2009).
  11. V. A. Makara, et al., Semiconductors 42, 1044 (2008):
    Crossref
  12. A. A. Skvortsov, A. M. Orlov, A. A. Solov’ev, D. I. Belov, Phys. Solid State 51, 2446 (2009);
    Crossref
  13. V. A. Makara, O. A. Korotchenkov, L. P. Steblenko, A. A. Podolian, D. V. Kalinichenko, Semiconductors 47, 665 (2013);
    Crossref
  14. L. P. Steblenko et al., J. Nano- Electron. Phys. 7, 01036 (2015).
  15. V. A. Makara et al., Nanosyst. Nanomater. Nanotechnol. 12, 247 (2014).
  16. B. V. Pavlyk, M. O. Kushlyk, D. P. Slobodzyan, R. M. Lys, J. Phys. Stud. 21, 1601 (2017);
    Crossref
  17. R. M. Lys, B. V. Pavlyk, R. I. Didyk, J. A. Shykorjak, Nanoscale Res. Lett. 12, 440 (2017);
    Crossref
  18. R. M. Lys et al., Appl. Nanosci. 9, 1775 (2019);
    Crossref
  19. L. Monastyrskyj, O. Aksimentyeva, I. Olenych, L. Yarytska, Visnyk Lviv Univ. Ser. Phys. 44, 271 (2009).
  20. M. I. Terebinska, Phys. Chem. Solid State 15, 258 (2014).
  21. L. O. Davydenko, A. G. Grebenyuk, Yu. V. Plyuto, Chem. Phys. Technol. Surf. 44, 250 (2013).
  22. D. P. Slobodzyan, B. V. Pavlyk, M. O. Kushlyk, J. Nano- Electron. Phys. 7, 04051 (2015).
  23. B. V. Pavlyk et al., Semiconductors 45, 599 (2011);
    Crossref
  24. O. V. Koplak, R. B. Morgunov, Chem. Phys. Lett. 643, 39 (2016);
    Crossref
  25. O. V. Koplak, M. A. Vasil’ev, R. B. Morgunov, Phys. Solid State 58, 247 (2016);
    Crossref
  26. B. V. Pavlyk et al., Ukr. J. Phys. 58, 742 (2013).
  27. A. A. Skvortsov, O. V. Litvinenko, A. M. Orlov, Semiconductors 37, 15 (2003);
    Crossref
  28. A. E. Gorin et al., Ukr. J. Phys. 56, 907 (2011).