Сучасні методи дослідження дефектів у кристалах (104 – Фізика та астрономія. ОП Експериментальна фізика)
Тип: Нормативний
Кафедра: фізики металів
Навчальний план
Семестр | Кредити | Звітність |
11 | 3 | Іспит |
Лекції
Семестр | К-сть годин | Лектор | Група(и) |
11 | 16 | професор, ст. наук. співробітник Щерба І. Д. |
Лабораторні
Семестр | К-сть годин | Група | Викладач(і) |
11 | 16 |
Опис навчальної дисципліни
Мета курсу “Сучасні методи дослідження дефектів у кристалах” навчити майбутніх спеціалістів володіти сучасними дефектометричними методами для встановлення реальної природи дефектів у неорганічних матеріалах у залежності від хімічного вмісту компонент, технології виготовлення і послідуючих механічної та термічної обробки. Зокрема, встановлення впливу дефектів на такі властивості, як міцність, електропровідність, гістерезисні ефекти в сегнетоелектриках та феромагнетиках. Водночас такі властивості, як густина, діелектрична проникливість, питома теплоємність, пружні характеристики, незначно залежать від наявності дефектів. Навчити студентів визначати валентність рідкісноземельних елементів, котра пов’язана з наявністю дефектних 4f-рівнів.
В результаті вивчення даного курсу студент повинен
знати:
- Точкові дефекти в кристалах, вакансії та міжвузлові атоми, центри забарвлення, концентрацію дефектів, лінійні дефекти кристалічної структури, крайові та гвинтові дислокації, дислинації в кристалах та двовимірні дефекти.
вміти:
- За даними дифракційних методів (електронографія, РСА, структурна нейтронографія):
– визначати атомні конфігурації ядер і пружних полів дефектів.
– за даними LІІІ – абсорбційної спектроскопії визначити валентність РЗЕ.
- Встановлювати вплив дефектів на властивості кристалів, а саме на:
– дифузійні явища (рух точкових дефектів)
– пластичність (рух дислокацій і точкових дефектів)
– руйнування (зародження і ріст тріщин при об’єднанню дислокацій)
– рекристалізацію, двійникування, фазові перетворення (рух міжзеренних і міжфазних границь)
– радіаційні явища(зміна властивостей кристалів під дією швидких частинок, що створюють точкові дефектів)
– електричні, оптичні і інші властивості зумовлені взаємодією носіями заряду з дефектами.
Рекомендована література
Базова
- Білокур І. П. Основи дефектоскопії: Підручник. — К.: «Азимут-Україна», 2004. — 496 с.
- Білокур І. П. Елементи дефектоскопії при вивченні неруйнівного контролю. — К.: НМК ВО, 1990. — 252 с.
- Щерба І.Д. Високоенергетична спектроскопія матеріалів. Посібник// ЛНУ імені Івана Франка МОН України. 2012, 249 c.
- Іван Болеста Фізика твердого тіла. Навчальний посібник// ЛНУ імені Івана Франка МОН України. 2003, 480 c.
Допоміжна
- .Механіка руйнування і міцність матеріалів: довідник – посібник / [ред. В.В. Панасюка]. – К. : Наук. Думка, 1988. – 230 c.
- .Цапенко В. К. Основи ультразвукового неруйнівного контролю / В. К. Цапенко, Ю. В. Куц. – К. : НТУУ „КПІ”, 2010. – 448 с.
Інформаційні ресурси