Опис навчальної дисципліни

Мета курсу “Сучасні методи дослідження дефектів у кристалах” навчити майбутніх спеціалістів володіти сучасними дефектометричними методами для встановлення реальної природи дефектів у неорганічних матеріалах у залежності від хімічного вмісту компонент, технології виготовлення і послідуючих механічної та термічної обробки. Зокрема,  встановлення впливу дефектів на такі властивості, як міцність, електропровідність, гістерезисні ефекти в сегнетоелектриках та феромагнетиках. Водночас такі властивості, як густина, діелектрична проникливість, питома теплоємність, пружні характеристики, незначно залежать від наявності дефектів. Навчити студентів визначати валентність рідкісноземельних елементів, котра пов’язана з наявністю дефектних 4f-рівнів.

В результаті вивчення даного курсу студент повинен

знати:

• Точкові дефекти в кристалах, вакансії та міжвузлові атоми, центри забарвлення, концентрацію дефектів, лінійні дефекти кристалічної структури, крайові та гвинтові дислокації, дислинації в кристалах та двовимірні дефекти.

вміти:

• За даними дифракційних методів (електронографія, РСА, структурна нейтронографія):

– визначати атомні конфігурації ядер і пружних полів дефектів.

– за даними L_ІІІ – абсорбційної спектроскопії визначити валентність РЗЕ.

• Встановлювати вплив дефектів на властивості кристалів, а саме на:

– дифузійні явища (рух точкових дефектів)

– пластичність (рух дислокацій і точкових дефектів)

– руйнування (зародження і ріст тріщин при об’єднанню дислокацій)

– рекристалізацію, двійникування, фазові перетворення (рух міжзеренних і міжфазних границь)

– радіаційні явища(зміна властивостей кристалів під дією швидких частинок, що створюють точкові дефектів)

– електричні, оптичні і інші властивості зумовлені взаємодією носіями заряду з дефектами.