Сучасні методи дослідження дефектів у кристалах (Фізика та астрономія)

Тип: Нормативний

Кафедра: фізики металів

Навчальний план

СеместрКредитиЗвітність
113Іспит

Лекції

СеместрК-сть годинЛекторГрупа(и)
1116професор, ст. наук. співробітник Щерба І. Д.ФзФм-22

Лабораторні

СеместрК-сть годинГрупаВикладач(і)
1116ФзФм-22професор, ст. наук. співробітник Щерба І. Д.

Опис навчальної дисципліни

Мета курсу “Сучасні методи дослідження дефектів у кристалах” навчити майбутніх спеціалістів володіти сучасними дефектометричними методами для встановлення реальної природи дефектів у неорганічних матеріалах у залежності від хімічного вмісту компонент, технології виготовлення і послідуючих механічної та термічної обробки. Зокрема,  встановлення впливу дефектів на такі властивості, як міцність, електропровідність, гістерезисні ефекти в сегнетоелектриках та феромагнетиках. Водночас такі властивості, як густина, діелектрична проникливість, питома теплоємність, пружні характеристики, незначно залежать від наявності дефектів. Навчити студентів визначати валентність рідкісноземельних елементів, котра пов’язана з наявністю дефектних 4f-рівнів.

В результаті вивчення даного курсу студент повинен

знати:

  • Точкові дефекти в кристалах, вакансії та міжвузлові атоми, центри забарвлення, концентрацію дефектів, лінійні дефекти кристалічної структури, крайові та гвинтові дислокації, дислинації в кристалах та двовимірні дефекти.

вміти:

  • За даними дифракційних методів (електронографія, РСА, структурна нейтронографія):

– визначати атомні конфігурації ядер і пружних полів дефектів.

– за даними LІІІ – абсорбційної спектроскопії визначити валентність РЗЕ.

  • Встановлювати вплив дефектів на властивості кристалів, а саме на:

– дифузійні явища (рух точкових дефектів)

– пластичність (рух дислокацій і точкових дефектів)

– руйнування (зародження і ріст тріщин при об’єднанню дислокацій)

– рекристалізацію, двійникування, фазові перетворення (рух міжзеренних і міжфазних границь)

– радіаційні явища(зміна властивостей кристалів під дією швидких частинок, що створюють точкові дефектів)

– електричні, оптичні і інші властивості зумовлені взаємодією носіями заряду з дефектами.

Рекомендована література

Базова

  1. Кив.А.Е. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: 1981.
  2. Гегузин Я.Е. Вакансии и другие точечные дефекты в металлах  и сплавах М.:1962.
  3. Нефедов В.И. Ренгеноелектронний аналіз. М., 1971.
  4. Уманский Я.С. Рентгенография металлов. М., 1967.
  5. Кушта Г.П. Рентгенографія металів. Львів., 1959.

Допоміжна

  1. Шаскольская М.И. Кристаллография. М.: Высшая школа.1976.
  2. Уманский Я. С., Скаков Ю.А., Иванов А. Н., Расторгуев Л.Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М., 1982.
  3. Гинье А. Рентгенография кристаллов. М., 1961.

Інформаційні ресурси

  1. Національна бібліотека України імені В.І. Вернадського.
  2. Львівська національна наукова Бібліотека України імені В. Стефаника
  3. Наукова бібліотека Львівського національного університету імені Івана Франка

Матеріали

  1. Щерба І.Д. Високоенергетична спектроскопія матеріалів. Львів, 2012. –248с.
  2. Кавич Й.В., Миколайчук О.Г. Розсіяння рентгенівських променів і структура речовини. Львів, ЛДУ. 1992.
  3. Дутчак Я.Й. Рентгенівський практикум. Львів, 1975.

Навчальна програма

Завантажити навчальну програму